Intel展示未來工藝制程技術(shù)：目標(biāo)3nm
9月19日消息 除了公布了最新的10nm工藝制程的參數(shù)以及Intel其他工藝制程的技術(shù)參數(shù)之外，Intel還在今天的尖端發(fā)布會上放出了未來的技術(shù)研究路線圖，在路線圖之中，Intel表示目前未來的目標(biāo)將會是3nm，而現(xiàn)在全新的10nm以及7nm基本處于研究完畢的狀態(tài)。
在Intel的線程路線圖中，5nm工藝制程以及3nm工藝制程處于藍(lán)色的前沿研究階段，而10nm和7nm則是研究基本完成的狀態(tài)，至于更前面的14nm工藝制程則是處于已投產(chǎn)的狀態(tài)。
為了應(yīng)對未來更低工藝制程帶來的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)，Intel簡單介紹了未來的八項前沿研究技術(shù)，包括納米線晶體管、III-V族晶體管，3D-堆疊、密集內(nèi)存、密集互聯(lián)、EUV圖案成形、神經(jīng)元計算以及自旋電子學(xué)等前沿尖端領(lǐng)域。而現(xiàn)在由消息稱Intel或許在21世紀(jì)20年代推出全新的CPU架構(gòu)，或許到時候就可以應(yīng)用這些最新的科技技術(shù)。
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